পদার্থ বিজ্ঞান প্রশ্ন

মূল ব্যাখ্যা:
উচ্চ ধাপী (Step-up) ট্রান্সফর্মার নিম্ন ভোল্টেজকে উচ্চ ভোল্টেজে রূপান্তরিত করে।
১. গৌণ কুণ্ডলীর ভোল্টেজ মুখ্য কুণ্ডলী অপেক্ষা বেশি হয়, অর্থাৎ $V_s > V_p$ (সঠিক)।
২. গৌণ কুণ্ডলীর পাকসংখ্যা মুখ্য কুণ্ডলী অপেক্ষা বেশি হয়, অর্থাৎ $n_s > n_p$ (এখানে $n_p > n_s$ দেওয়া আছে, যা ভুল)।
৩. ট্রান্সফর্মারের ক্ষমতা ধ্রুব থাকায় ($P_p = P_s$), ভোল্টেজ বাড়লে প্রবাহমাত্রা কমে। ফলে মুখ্য কুণ্ডলীর তড়িৎ প্রবাহ গৌণ কুণ্ডলী অপেক্ষা বেশি হয়, অর্থাৎ $I_p > I_s$ (সঠিক)।

সুতরাং, i ও iii সঠিক।

মনে রাখার কৌশল:
Step-up মানেই Secondary (গৌণ) কুণ্ডলীতে Voltage ও Turns (পাকসংখ্যা) বেশি, কিন্তু Current (প্রবাহ) কম।

একই ধরনের প্রশ্ন:
১. নিম্ন ধাপী (Step-down) ট্রান্সফর্মারের ক্ষেত্রে গৌণ ও মুখ্য কুণ্ডলীর ভোল্টেজের সম্পর্ক কোনটি?
উত্তর: $V_s < V_p$।