$2k\Omega$ এর মধ্য দিয়ে প্রবাহিত প্রবাহমাত্রা— [Ge ও Si এর বিভব বাধা ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.3V ও 0.7V.]

![](https://files.utsaho.bd/v1/files/40c87a03-4af3-4aa6-9118-6a6743a5cc70)

Question

$2k\Omega$ এর মধ্য দিয়ে প্রবাহিত প্রবাহমাত্রা— [Ge ও Si এর বিভব বাধা ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.3V ও 0.7V.]

![](https://files.utsaho.bd/v1/files/40c87a03-4af3-4aa6-9118-6a6743a5cc70)

Accepted Answer

খ. 2 mA

ব্যাখ্যা: বর্তনীতে জার্মেনিয়াম (Ge) এবং সিলিকন (Si) উভয় ডায়োডই সম্মুখবর্তী বায়াসে (forward bias) যুক্ত রয়েছে।

Ge ডায়োডের বিভব বাধা, $V_{	ext{Ge}} = 0.3	ext{ V}$
Si ডায়োডের বিভব বাধা, $V_{	ext{Si}} = 0.7	ext{ V}$

অতএব, ডায়োড দুটিতে মোট বিভব পতন:
$$V_D = V_{	ext{Ge}} + V_{	ext{Si}} = 0.3	ext{ V} + 0.7	ext{ V} = 1.0	ext{ V}$$

$2	ext{ k}\Omega$ রোধের দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য:
$$V_R = V_{	ext{in}} - V_D = 5	ext{ V} - 1.0	ext{ V} = 4.0	ext{ V}$$

সুতরাং, রোধের মধ্য দিয়ে প্রবাহিত প্রবাহমাত্রা:
$$I = \frac{V_R}{R} = \frac{4	ext{ V}}{2	imes 10^3\,\Omega} = 2	imes 10^{-3}	ext{ A} = 2	ext{ mA}$$

পদার্থ বিজ্ঞান ২য় পত্র প্রশ্ন