রসায়ন ২য় পত্র প্রশ্ন

উত্তর ও ব্যাখ্যা

1. ক)

   AI-তৈরি নমুনা উত্তর

   মনোস্যাকারাইডের অ্যানোমেরিক কার্বনের হাইড্রোক্সিল মূলকের সাথে অন্য কোনো জৈব অণুর হাইড্রোক্সিল মূলকের ঘনীভবন বিক্রিয়ার মাধ্যমে অ্যানোমেরিক কার্বনে আলফা (α) কনফিগারেশন বজায় রেখে যে গ্লাইকোসাইডিক বন্ধন গঠিত হয়, তাকে α-গ্লাইকোসাইড বন্ধন বলে।

2. খ)

   AI-তৈরি নমুনা উত্তর

   কার্বানায়নে কার্বন পরমাণুর উপর ঋণাত্মক আধান বিদ্যমান থাকে। অ্যালকাইল মূলক ধনাত্মক আবেশীয় (+I) ধর্মী হওয়ায় কার্বানায়নে ইলেকট্রন ঘনত্ব আরও বৃদ্ধি করে।
   ১° কার্বানায়নে (R-CH₂⁻) একটি অ্যালকাইল মূলক থাকে, কিন্তু ২° কার্বানায়নে (R₂CH⁻) দুটি অ্যালকাইল মূলক উপস্থিত থাকে। দুটি অ্যালকাইল মূলকের ইলেকট্রন দানকারী (+I) প্রভাবের কারণে ২° কার্বানায়নের কেন্দ্রীয় কার্বনে ইলেকট্রন ঘনত্ব ১° কার্বানায়নের চেয়ে অনেক বেশি বৃদ্ধি পায়। ফলে এর বিকর্ষণ বাড়ে এবং স্থায়িত্ব হ্রাস পায়। তাই ১° অপেক্ষা ২° কার্বানায়ন স্বল্পস্থায়ী।

3. গ)

   AI-তৈরি নমুনা উত্তর

   উদ্দীপক অনুসারে, ২-কার্বন বিশিষ্ট অসম্পৃক্ত যৌগ A যা ৪০০°C তাপমাত্রায় Fe প্রভাবকের উপস্থিতিতে পলিমারকরণে B (বেনজিন) তৈরি করে, তা হলো ইথাইন বা অ্যাসিটিলিন ($HC \equiv CH$)।

   ইথাইন (A) থেকে কার্বক্সিলিক অ্যাসিড (ইথানয়িক অ্যাসিড) প্রস্তুতি:
   ১ম ধাপ: ইথাইনকে ২০% $H_2SO_4$ এবং ২% $HgSO_4$ দ্রবণসহ ৬০°C তাপমাত্রায় উত্তপ্ত করলে পানি সংযোজন ঘটে ইথান্যাল ($CH_3CHO$) উৎপন্ন হয়।
   $HC \equiv CH + H_2O \xrightarrow[60^\circ\text{C}]{\text{20\% } H_2SO_4, \text{ 2\% } HgSO_4} CH_3CHO$

   ২য় ধাপ: উৎপন্ন ইথান্যালকে অম্লীয় পটাশিয়াম ডাইক্রোমেট ($K_2Cr_2O_7 + H_2SO_4$) দ্বারা জারিত করলে কার্বক্সিলিক অ্যাসিড (ইথানয়িক অ্যাসিড) পাওয়া যায়।
   $CH_3CHO + [O] \xrightarrow{K_2Cr_2O_7 + H_2SO_4} CH_3COOH$

   এভাবে ইথাইন (A) থেকে কার্বক্সিলিক অ্যাসিড প্রস্তুত করা যায়।

4. ঘ)

   AI-তৈরি নমুনা উত্তর

   উদ্দীপকে যৌগ B হলো বেনজিন (C₆H₆) এবং যৌগ C হলো টলুইন (C₆H₅-CH₃)।
   বেনজিন ও টলুইনের মধ্যে টলুইন (C) ইলেকট্রনাকর্ষী প্রতিস্থাপন বিক্রিয়ায় অধিক সক্রিয়।

   ব্যাখ্যা:
   ১. টলুইনে বেনজিন বলয়ের সাথে একটি মিথাইল (-CH₃) মূলক যুক্ত থাকে। মিথাইল মূলক একটি ইলেকট্রন দাতা মূলক যা ধনাত্মক আবেশীয় (+I) প্রভাব এবং হাইপারকনজুগেশন (Hyperconjugation) এর মাধ্যমে বেনজিন বলয়ে ইলেকট্রন ঘনত্ব বৃদ্ধি করে।
   ২. এর ফলে টলুইনের বেনজিন বলয়টি সক্রিয় হয় (বলয় সক্রিয়কারী মূলক) এবং বিশেষ করে অর্থো (ortho) ও প্যারা (para) অবস্থানে ইলেকট্রন ঘনত্ব বহুগুণে বেড়ে যায়।
   ৩. অন্যদিকে, বেনজিনে কোনো রূপ ইলেকট্রন দানকারী প্রতিস্থাপক নেই। ফলে এতে কোনো অতিরিক্ত সক্রিয়তা সৃষ্টি হয় না।

   ইলেকট্রনাকর্ষী বিকারক (Electrophile) অধিক ইলেকট্রন ঘনত্বযুক্ত স্থানে সহজে ও দ্রুত আক্রমণ করতে পারে। সুতরাং, বেনজিন (B)-এর তুলনায় টলুইন (C)-এর বেনজিন বলয়ে ইলেকট্রন ঘনত্ব বেশি থাকায় C ইলেকট্রনাকর্ষী প্রতিস্থাপন বিক্রিয়ায় অধিক সক্রিয়।