নিচের ডায়োড বরাবর $V_0$ এর আসন্নমান-

![](https://files.utsaho.bd/v1/files/564775ee-d5c2-4c28-a01a-53d61f84101d)

Question

নিচের ডায়োড বরাবর $V_0$ এর আসন্নমান-

![](https://files.utsaho.bd/v1/files/564775ee-d5c2-4c28-a01a-53d61f84101d)

Accepted Answer

ক. শূন্য

ব্যাখ্যা: একটি সাধারণ p-n জংশন ডায়োড যখন সম্মুখী বায়াসে (Forward Bias) থাকে, তখন এর দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য বা ভোল্টেজ ড্রপ সিলিকনের ক্ষেত্রে প্রায় $0.7	ext{ V}$ এবং জার্মেনিয়ামের ক্ষেত্রে প্রায় $0.3	ext{ V}$ হয়। তবে একটি আদর্শ ডায়োড (Ideal Diode) বিবেচনা করলে সম্মুখী বায়াসে এর অভ্যন্তরীণ রোধ শূন্য ধরা হয়, ফলে ডায়োড বরাবর বিভব পতনের আসন্নমান (approximate value) হয় শূন্য ($0	ext{ V}$)।

পদার্থ বিজ্ঞান ২য় পত্র প্রশ্ন

সম্পর্কিত প্রশ্ন